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“开关管是MOS管吗”这一问题。深入剖析开关管与MOS管的定义与关系,对比MOSFET、IGBT及BJT等不同开关管的优缺点及适用场景,为功率电子设计提供选型指...
“MOS管是晶体管吗”这一问题。深入剖析MOS管与晶体管的归属关系,对比MOSFET与双极型晶体管在控制方式、性能及应用上的核心差异,助您彻底理解这两大半导体器...
MOS管危险的半导通状态(线性区/放大区),阐述其巨大危害、成因(慢速开关与米勒效应),并提供从驱动设计到布局的全面规避策略,确保开关电源与电机驱动的可靠性。
MOS管在关断过程中米勒效应的产生机理、对开关特性的影响(特别是米勒平台现象),并提供降低米勒效应、改善关断波形的实用电路设计与驱动选型策略。
解析低电压(如3.3V/1.8V)系统导通MOS管面临的挑战。详细介绍逻辑电平MOS管的选型要点,并提供分立元件、专用驱动芯片等解决方案,确保MOS管在低压下高...
使用数字万用表判断N沟道和P沟道MOS管好坏的完整指南。包含电阻法、二极管档位法和触发导通法三种方法,配有详细步骤和图解,帮助您快速准确地诊断MOS管故障。
“MOS管漏极是哪个”的问题。提供从电路符号、实物引脚到万用表测量的全套识别方法,并深入解析漏极在NMOS和PMOS中的功能特性,帮助您彻底掌握MOS管的核心基...
MOS管导通后是否存在压降。详细解析导通压降Vds(on)的成因,核心参数导通电阻Rds(on)的定义与影响,并阐述其与功率损耗的计算关系,为电子工程师提供选型...
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