2025-11-12

MOS管作为开关时的电平有效性问题。详细解析NMOS和PMOS管的结构差异，阐明何为高电平有效、何为低电平有效，并给出实用的电路设计指南和选型建议，帮助您彻底理...

2025-11-11

从源端看向MOS管的阻抗特性，揭秘其独特的负阻抗现象及其对电路稳定性的影响，并详细探讨在共栅放大器和源极跟随器等电路中的阻抗分析与应用。

2025-11-11

“MOS管放大倍数”的常见误区，深入解析其核心参数——跨导（gm）的定义与计算方法，并详解MOS管电压放大电路的增益公式，帮助读者正确理解与应用MOS管的放大能...

2025-11-11

MOS管击穿的六大常见原因，包括过压、静电、雪崩、热失控、寄生导通和体二极管失效，并提供实用的预防与保护电路设计指南，帮助工程师提升电路可靠性。

2025-11-11

MOS管阈值损失的成因与影响，详细探讨其在模拟开关和功率开关电路中的危害，并提供自举电路、电荷泵等多种实用的解决方案，帮助工程师彻底解决栅极驱动电压不足的难题。

2025-11-11

高频MOS管电路的工作原理，详细分析开关损耗、寄生参数等设计挑战，并提供栅极驱动、PCB布局与散热优化的实用解决方案，涵盖射频与开关电源等核心应用。

2025-11-11

MOS管推挽电路的工作原理，详解其核心优势、关键设计挑战（特别是死区时间），并探讨其在DC-DC变换器、电机驱动和H桥电路中的核心应用，为电源与功率驱动设计提供...

2025-11-11

MOS管与IGBT对比指南。从结构原理、V-I特性曲线到导通损耗与开关损耗的权衡，深入解析如何根据电压、电流和频率正确区分与选择MOS管或IGBT，适用于电源、...