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MOS管三种组态详解:共源、共漏、共栅放大电路的区别与应用 | 电子百科

MOS管三种组态详解:共源、共漏、共栅放大电路的区别与应用

在模拟电路设计中,MOS管(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是核心的主动放大器件。仅仅一个MOS管,通过将它的三个电极(栅极G、源极S、漏极D)之一作为信号的公共端(交流接地),就能形成三种性能迥异的基本放大电路,称为 “三种组态”

这三种组态分别是:共源组态共漏组态共栅组态。理解它们的差异是设计放大器、缓冲器、匹配电路等模块的基石。本文将深入剖析每一种组态的特性,并给出清晰的应用指南。

一、 共源组态:最通用的电压放大器

1. 结构特点:

  • 信号路径:输入信号从栅极(G) 进入,输出信号从漏极(D) 取出。

  • 公共端源极(S) 作为输入和输出的公共参考点(通常通过一个电阻或直接连接到地)。

2. 核心特性:

  • 电压增益中到高。这是三种组态中电压放大能力最强的一种。增益取决于跨导gm和漏极负载电阻,通常可以达到几十倍甚至上百倍。

  • 输入阻抗极高。由于栅极是绝缘的,输入阻抗基本由栅极偏置电阻决定,通常可达兆欧姆级别,对前级电路几乎不索取电流。

  • 输出阻抗中到高。输出阻抗主要由漏极负载电阻或MOS管自身的输出电阻决定。

  • 相位关系输入与输出反相。当输入电压升高,漏极电流增大,导致漏极电压下降,反之亦然。

3. 主要应用:

  • 通用电压放大级(如音频前置放大、传感器信号放大)。

  • 反相放大器。

  • 组成多级放大器的核心增益级。

二、 共漏组态(源极跟随器):理想的电压缓冲器

1. 结构特点:

  • 信号路径:输入信号从栅极(G) 进入,输出信号从源极(S) 取出。

  • 公共端漏极(D) 直接或通过电阻连接到电源,作为公共端。

2. 核心特性:

  • 电压增益小于且接近1(约0.8-0.99)。输出电压紧紧跟随输入电压变化,因此得名“源极跟随器”。没有电压放大能力。

  • 输入阻抗极高。与共源组态相同,输入阻抗极高。

  • 输出阻抗极低。这是其最重要的优点,输出阻抗约为 1/gm,可以驱动重负载(如低阻抗的扬声器、传输线)。

  • 相位关系输入与输出同相

3. 主要应用:

  • 阻抗变换/缓冲器:连接高输出阻抗的前级和低输入阻抗的后级,防止信号衰减。

  • 功率输出驱动级。

  • 电平移位电路(因为输出直流电平比输入低一个Vgs)。

三、 共栅组态:高频与电流缓冲的利器

1. 结构特点:

  • 信号路径:输入信号从源极(S) 进入,输出信号从漏极(D) 取出。

  • 公共端栅极(G) 交流接地(通过一个大电容旁路到地)。

2. 核心特性:

  • 电压增益中到高。电压增益公式与共源组态类似,增益也较高。

  • 输入阻抗极低。输入阻抗约为 1/gm,通常只有几十到几百欧姆。

  • 输出阻抗。与共源组态类似。

  • 相位关系输入与输出同相

  • 高频特性优异。由于栅极交流接地,大大减小了栅漏电容Cgd的密勒效应,因此高频响应非常好。

3. 主要应用:

  • 高频放大器、射频(RF)电路

  • 电流缓冲器:因其低输入阻抗,可作为电流信号的输入级。

  • 低噪声放大器(在某些配置下)。

  • 与共源组态组合构成共源-共栅(Cascode)结构,以兼顾高增益、高带宽和高输出阻抗。

四、 三种组态对比总结表

特性共源组态共漏组态(源极跟随器)共栅组态
公共端源极 (S)漏极 (D)栅极 (G)
电压增益高 (反相)≈1 (同相)高 (同相)
输入阻抗极高极高极低
输出阻抗极低
相位变化180°(反相)0°(同相)0°(同相)
核心应用通用电压放大阻抗变换、电压缓冲高频放大、电流缓冲

结论

MOS管的三种组态并非孤立存在,它们就像电路设计师工具箱里的三把不同型号的螺丝刀,各有各的专长。共源提供高增益,是放大的主力;共漏提供阻抗变换,是驱动的能手;共栅提供高速性能,是高频应用的先锋。

在实际电路设计中,常常将两种或三种组态巧妙组合(如经典的共源-共栅Cascode结构、共漏驱动共源的组合等),以扬长避短,实现更优的综合性能。掌握这三种基本组态,是迈向高效、精准模拟电路设计的关键一步。

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