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体积小、反应时间快
小身材,大能量,可代替玻封
基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力
广泛应用在高速开关、保护电路
比TO封装体积小,一般用于小功率MOSFET、晶体管
开关速度快,表面装置式,反向漏电流低、正向浪涌承受能力较强、高温焊接保证。
BHBK正诺研发、生产、销售(MOSFET,AC-DC,DC-DC,LED驱动,霍尔器件),并提供全系列电路保护方案为主营业务的生产服务芯片供应商。BHBK以坚持"细节求稳"的产品研发策略,致力于把最...
随着新能源汽车智能技术系统的广泛运普及,电子化、智能化已经成为现代汽车标志和趋势。BHBK提供MOS管、瞬态抑制二极管、ESD防静电等组件广泛应用于汽车电子领域...
主要代理台湾芯普芯半导体,产品广泛适用于军工,LED驱动电路板,PD快充 香薰机 ,电子烟,液晶显示器,电源,小家电,医疗产,蓝牙产品,3D打印机 ,车载电子,...
BHBK正诺作为专业MOS管厂家,专注于高品质功率半导体的研发与制造。本文详细介绍BHBK正诺在MOS管领域的技术创新、产品优势及行业贡献,展现其在电子元件行业...
BHBK正诺半导体作为专业MOS管厂家的技术实力、生产能力和市场表现,解析国产功率半导体企业在技术创新与产业突破方面的最新进展。
MOS管市场主流品牌特点,重点解析BHBK正诺半导体的技术优势、产品性能和市场表现,为工程师和采购人员提供专业的MOS管品牌选购参考。
MOS管发热的原因、计算方法及实用散热解决方案,提供降低功耗的实战技巧,帮助工程师解决功率器件过热问题,提升电路可靠性。
氮化镓MOS管的工作原理、技术优势、应用领域及选型要点,深入探讨这种革命性功率半导体如何推动电力电子技术发展,适合工程师、技术人员及电子爱好者阅读。
MOS管的五大二阶效应:沟道长度调制效应、体效应、亚阈值导通、迁移率退化和DIBL效应,阐述其物理机理、数学模型及对电路设计的影响,帮助工程师从理想模型走向现实...
MOS管源端看进去的阻抗特性。你将了解到为什么源端阻抗远小于漏端阻抗、如何计算源极视入阻抗,以及这一概念在电路设计中的实际应用意义。
IGBT与MOS管(MOSFET)的核心区别。虽然IGBT在结构上与MOS管同源,但两者在原理、特性和应用场景上截然不同。本文将为你详细对比这两种关键的功率器件...
MOS管宽长比(W/L)的基本概念、物理意义、对器件性能的关键影响,以及在模拟和数字电路中的设计考量与优化方法,帮助集成电路设计者掌握这一核心设计参数。
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