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体积小、反应时间快
小身材,大能量,可代替玻封
基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力
广泛应用在高速开关、保护电路
比TO封装体积小,一般用于小功率MOSFET、晶体管
开关速度快,表面装置式,反向漏电流低、正向浪涌承受能力较强、高温焊接保证。
BHBK正诺研发、生产、销售(MOSFET,AC-DC,DC-DC,LED驱动,霍尔器件),并提供全系列电路保护方案为主营业务的生产服务芯片供应商。BHBK以坚持"细节求稳"的产品研发策略,致力于把最...
随着新能源汽车智能技术系统的广泛运普及,电子化、智能化已经成为现代汽车标志和趋势。BHBK提供MOS管、瞬态抑制二极管、ESD防静电等组件广泛应用于汽车电子领域...
主要代理台湾芯普芯半导体,产品广泛适用于军工,LED驱动电路板,PD快充 香薰机 ,电子烟,液晶显示器,电源,小家电,医疗产,蓝牙产品,3D打印机 ,车载电子,...
BHBK正诺作为专业MOS管厂家,专注于高品质功率半导体的研发与制造。本文详细介绍BHBK正诺在MOS管领域的技术创新、产品优势及行业贡献,展现其在电子元件行业...
BHBK正诺半导体作为专业MOS管厂家的技术实力、生产能力和市场表现,解析国产功率半导体企业在技术创新与产业突破方面的最新进展。
MOS管市场主流品牌特点,重点解析BHBK正诺半导体的技术优势、产品性能和市场表现,为工程师和采购人员提供专业的MOS管品牌选购参考。
MOS管发热的原因、计算方法及实用散热解决方案,提供降低功耗的实战技巧,帮助工程师解决功率器件过热问题,提升电路可靠性。
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MOS管宽长比(W/L)的基本概念、物理意义、对器件性能的关键影响,以及在模拟和数字电路中的设计考量与优化方法,帮助集成电路设计者掌握这一核心设计参数。
两个MOS管并联的原理、优势与挑战,详细介绍并联设计中的关键注意事项、均流技术、驱动电路设计及热管理策略,帮助工程师实现可靠的大电流功率电路。
MOS管的GIDL效应(栅致漏极漏电流),阐述其产生机理、对器件性能的影响、温度特性以及现代工艺中的抑制方法,帮助IC设计人员理解和优化低功耗电路。
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