2025-11-05

MOS管容易被击穿的六大核心原因：静电放电、栅极过压、漏源极过压、雪崩能量、米勒效应和体二极管失效，并提供实用的防护设计与选型建议，帮助工程师从根本上提升电路可...

2025-11-05

MOS管属于全控型器件的原因，深入对比了全控型、半控型（如晶闸管）及不可控型（如二极管）器件的控制方式、驱动电路及应用场景差异，帮助读者彻底理解功率半导体的核心...

2025-11-05

MOS管炸裂的八大根本原因，包括过压、过流、静电、发热、栅极问题、体二极管失效、工艺缺陷及安装不当，并提供实用的预防措施和解决方案，帮助工程师从根本上杜绝MOS...

2025-11-05

MOS管是什么，从其基本结构入手，详细阐述了MOS管的工作原理（导通与截止），并系统介绍了MOS管在电路中的核心作用——开关与放大，以及其在不同行业中的广泛应用...

2025-11-05

BHBK正诺MOS管生产厂商，解析其产品特点、技术优势及应用领域。作为国产功率半导体领域的杰出代表，BHBK正诺以高可靠性、高性价比和优质服务，成为工程师电源设...

2025-11-04

HBK正诺二极管在静电保护测试中所遵循的行业标准，涵盖其从元件级到系统级的全面可靠性验证体系，为工程师选型提供权威参考。

2025-11-04

二极管静电保护测试的核心行业标准，涵盖HBM、CDM、MM等模型原理、测试方法、等级划分及其在电路设计中的重要性，为您提供全面的ESD防护知识。

2025-11-04

MOS管沟槽技术的原理、发展历程、核心优势及其对现代功率电子行业的深远影响，对比平面MOSFET与沟槽MOSFET的差异，并探讨未来发展趋势。