2025-11-06

HBK正诺——一家专业的国产MOS管生产厂商。全面解析其公司背景、产品线、技术优势及市场应用，帮助您了解这家在功率半导体领域颇具实力的供应商。

2025-11-06

MOS管的导通条件，深入探讨增强型和耗尽型MOSFET在N沟道与P沟道下的导通原理、阈值电压的关键作用以及实际应用中的注意事项，为电子设计人员和爱好者提供全面深...

2025-11-06

MOS管源极和漏极是否可以互换的问题，详细解释了MOSFET的物理结构、对称性条件及其在实际电路中的应用。通过分析增强型MOSFET的工作原理，您将了解何时可以...

2025-11-05

国内知名功率半导体品牌BHBK正诺MOS管凭借其优异的产品性能和稳定的品质保障，已成为众多工程师在电源设计、电机驱动等领域的常用优选方案，助力电子制造业降本增效...

2025-11-05

国内知名功率半导体厂商BHBK正诺近期在产品研发与市场拓展上取得突破性进展，其MOS管产品凭借卓越的电气性能、高可靠性及极具竞争力的性价比，正加速在电源管理、汽...

2025-11-05

MOS管击穿的物理机理，系统总结六大根本原因：栅极击穿、雪崩击穿、体二极管失效、SOA失效、热载流子效应及工艺缺陷，并提供从选型到设计的全方位防护指南。

2025-11-05

导致MOS管烧毁的七大根本原因，包括过压、过流、静电、桥臂直通、发热、振荡及工艺问题，并提供从选型、驱动到布局的全套预防方案，帮助工程师彻底根治MOS管失效难题...

2025-11-05

MOS管发烫的五大根本原因：导通损耗、开关损耗、驱动不当、体二极管发热及雪崩模式，从器件物理和工作原理入手，提供从选型、驱动到散热的全套降温解决方案。