2025-11-12

解析低电压（如3.3V/1.8V）系统导通MOS管面临的挑战。详细介绍逻辑电平MOS管的选型要点，并提供分立元件、专用驱动芯片等解决方案，确保MOS管在低压下高...

2025-11-12

使用数字万用表判断N沟道和P沟道MOS管好坏的完整指南。包含电阻法、二极管档位法和触发导通法三种方法，配有详细步骤和图解，帮助您快速准确地诊断MOS管故障。

2025-11-12

“MOS管漏极是哪个”的问题。提供从电路符号、实物引脚到万用表测量的全套识别方法，并深入解析漏极在NMOS和PMOS中的功能特性，帮助您彻底掌握MOS管的核心基...

2025-11-12

MOS管导通后是否存在压降。详细解析导通压降Vds(on)的成因，核心参数导通电阻Rds(on)的定义与影响，并阐述其与功率损耗的计算关系，为电子工程师提供选型...

2025-11-12

MOS管作为开关时的电平有效性问题。详细解析NMOS和PMOS管的结构差异，阐明何为高电平有效、何为低电平有效，并给出实用的电路设计指南和选型建议，帮助您彻底理...

2025-11-11

从源端看向MOS管的阻抗特性，揭秘其独特的负阻抗现象及其对电路稳定性的影响，并详细探讨在共栅放大器和源极跟随器等电路中的阻抗分析与应用。

2025-11-11

“MOS管放大倍数”的常见误区，深入解析其核心参数——跨导（gm）的定义与计算方法，并详解MOS管电压放大电路的增益公式，帮助读者正确理解与应用MOS管的放大能...

2025-11-11

MOS管击穿的六大常见原因，包括过压、静电、雪崩、热失控、寄生导通和体二极管失效，并提供实用的预防与保护电路设计指南，帮助工程师提升电路可靠性。