2025-12-24

MOS管漏极-源极间阻抗，详细讲解导通电阻RDS(on)和关断阻抗的定义、影响因素、测量方法及设计应用，帮助工程师优化电路性能和可靠性。

2025-12-24

晶体管与MOS管的关系，阐明MOS管是晶体管的重要类型之一，介绍两者工作原理、结构差异及应用场景，帮助读者全面理解现代电子器件的核心分类。

2025-12-23

SiC MOS管的技术原理、性能优势及应用领域。详细介绍碳化硅材料特性如何实现高效率、高频率工作，及其在新能源汽车、可再生能源等领域的革命性影响，为工程师提供全...

2025-12-23

PLANAR MOS管（平面型MOSFET）的技术原理、发展历程与性能特点。全面介绍其在高压功率系统、汽车电子等领域的应用优势，以及与沟槽技术的对比分析，为高压...

2025-12-22

在现代电力电子领域，功率MOSFET作为电能转换与控制的核心元件，其性能的每一次突破都深刻影响着整个行业的发展轨迹。TRENCH MOS管（沟槽型金属氧化物半导...

2025-12-22

SGT MOS管（屏蔽栅沟槽MOSFET）的技术原理、独特结构及性能优势。了解其如何通过屏蔽栅设计实现超低导通电阻和高频性能，广泛应用于电源、电机驱动等领域，是...

2025-12-19

MOS管耐压值（VDSS）的技术含义、测试标准、影响因素及选型要点，为工程师提供实用的电压应力设计和元器件选型指南。

2025-12-19

MOS管的三个电极——栅极、源极和漏极的结构特点、工作原理和功能区别，帮助电子爱好者和工程师深入理解这一基础半导体器件的工作机制与应用要点。