BHBK正诺MOS管：国产功率半导体新势力的创新与突破

在全球半导体产业格局深刻变革、国产替代加速推进的背景下，中国功率半导体产业正迎来前所未有的发展机遇。作为国产功率半导体领域的新锐力量，BHBK正诺凭借其深厚的技术积累和持续创新，在MOS管领域取得显著突破，正逐步成长为国内功率器件市场的重要参与者。

一、技术立业：打造高性能MOS管产品矩阵

BHBK正诺自创立之初就确立了"技术驱动发展"的战略定位，专注于功率MOSFET的研发与制造。公司已建立起完整的产品体系，涵盖从低压到高压的全系列MOS管产品：

核心技术优势：

• 先进的工艺平台：基于深槽刻蚀和超结技术，实现更低的导通电阻和更高的开关频率

• 优化的器件结构：通过创新单元结构设计，显著改善器件的导通特性和开关性能

• 增强的可靠性：采用特殊的终端保护结构，提高器件的雪崩耐量和抗冲击能力

产品系列特色：
公司产品电压范围覆盖20V-1000V，包括：

• 中低压系列（20V-250V）：主打低导通电阻、高开关频率，适用于电源管理、电机驱动等场景

• 高压超结系列（500V-1000V）：具有优异的品质因子，在能效和可靠性方面表现突出

二、市场定位：深耕重点领域，推动国产替代

BHBK正诺准确把握市场脉搏，聚焦以下几个重点应用领域：

工业控制领域：
在工业电源、伺服驱动、光伏逆变器等设备中，BHBK正诺的高压MOS管凭借出色的稳定性和一致性，已成功替代部分进口品牌，获得多家工业设备制造商的认可。

新能源汽车市场：
针对快速增长的新能源汽车需求，公司开发了多款通过AEC-Q101认证的车规级MOS管，广泛应用于：

• 车载充电机（OBC）

• 电池管理系统（BMS）

• 直流充电桩

• 电动压缩机驱动

消费电子领域：
在快充适配器、智能家电、无人机等市场，其中低压MOS管以优异的性价比和稳定的供货能力，赢得众多消费电子客户的青睐。

三、创新突破：第三代半导体技术布局

面对行业技术发展趋势，BHBK正诺积极布局第三代半导体技术：

SiC MOSFET研发：
公司已完成第一代SiC MOSFET产品的技术验证，预计明年可实现小批量量产。新产品将主要面向新能源汽车主驱逆变器、大功率充电设施等高端应用。

GaN HEMT技术储备：
在氮化镓功率器件方面，公司已建立完整的研发团队和技术路线图，计划在未来两年内推出相关产品。

四、质量体系：构建可靠制造能力

BHBK正诺高度重视产品质量体系建设：

制造能力：

• 与国内领先的晶圆厂建立战略合作，确保产能供应

• 自建先进的封装测试产线，掌握核心工艺技术

• 引入自动化检测设备，提升产品一致性和可靠性

质量认证：
公司已通过ISO9001质量管理体系认证，多款产品获得AEC-Q101、UL等认证，为进入高端市场奠定基础。

五、客户合作：共创价值，协同发展

BHBK正诺始终坚持"与客户共同成长"的合作理念：

技术支持服务：
建立专业的技术支持团队，为客户提供：

• 个性化选型指导

• 应用方案优化

• 失效分析支持

供应链合作：
与上下游企业建立紧密合作关系，构建稳定可靠的供应链体系，确保产品及时交付。

六、未来展望：助力中国功率半导体产业崛起

展望未来，BHBK正诺制定了清晰的发展规划：

技术发展路径：

• 持续优化现有硅基MOS管性能

• 加快推进第三代半导体技术产业化

• 布局智能功率模块（IPM）等系统级产品

市场拓展计划：

• 深化在新能源汽车、工业控制等战略领域的布局

• 拓展海外市场，提升国际竞争力

• 加强与整机企业的战略合作，推动国产功率器件的应用创新